SISPAD 2020は半導体のプロセス/デバイス・シミュレーションに関する国際学会です。
是非シルバコのTCADソリューション動画、技術講演をご視聴ください。
開催期間
9月23日-10月6日
公式ページ
https://sites.google.com/view/sispad2020
出展内容
シルバコのTCADソリューションを20分ほどの動画で紹介しています。
開催期間中、参加者の方にはQ&Aに利用可能な掲示板が用意されておりシルバコへのご質問が可能です。
シルバコからの発表
SISPADではシルバコから4つの発表がございます。
詳細のプログラムはこちらから確認いただけます。
Session 3: Computational Methodology
#3-2: “Generative Model Based Adaptive Importance Sampling for Flux Calculations in Process TCAD” by A. Scharinger, P. Manstetten, J. Weinbub, from TU Wien Austria and by A. Hossinger from Silvaco Europe U.K.
Session 10: Non-Volatile Memory II ReRAM and MRAM
#10-4: “Computation of Torques in Magnetic Tunnel Junctions through Spin and Charge Transport Modeling” by S. Fiorentini, J. Ender, M. Mohamedou, R. Orio, S. Selberherr, V. Sverdlov from TU Wien, Austria and by W. Goes from Silvaco Europe U.K.
#10-5: “Efficient Demagnetizing Field Calculation for Disconnected Complex Geometries in STT-MRAM Cells” by J. Ender1, M. Mohamedou, S. Fiorentini, R. Orio, S. Selberherr from TU Wien, Austria and by V. Sverdlov from Silvaco Europe U.K.
Session 11: High Speed Switching Devices and Noise
#11-9: “Nanoscale FET: How To Make Atomistic Simulation Versatile, Predictive, and Fast at 5nm Node and Below” by P. Blaise, U. Kapoor, M. Townsend, E. Guichard from Silvaco, USA and by J. Charles, D. A. Lemus, T. Kubis from Purdue University.
本件に関してのお問い合わせ:
jppress@silvaco.com