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100X Faster Nano Device Atomistic TCAD Simulation with Victory Atomistic

配信開始日:

本ウェビナーでは、シルバコTCADツールの一つであるVictory Atomistic(VA)のシミュレーション機能を紹介します。VAは、パデュー大学で作成されたNEMO5ソフトウェアをベースとした多目的ナノデバイス・シミュレーション・ツールです。VAは半導体ナノデバイスにおける量子輸送特性を原子レベルの分解能で予測することを目的としています。最新の開発により、マイクロ・エレクトロニクス・エンジニアがいかにナノワイヤFETシミュレーションを簡単にセットアップできるようになったかをご紹介します。さらに、前例がないほど数値性能が向上し、量子力学の予測力を活用した原子レベルのシミュレーションが日常的に実行できるようになりました。

内容:

  • Victory Atomistic TCAD環境
  • ナノワイヤFET:シミュレーション機能の事例
  • チュートリアル・ビデオ

プレゼンタ:

Philippe Blaise博士は、シルバコTCAD部門に所属する原子シミュレーションのシニア・アプリケーション・エンジニアです。シルバコに入社する前は、CEA / LETIで15年間、新しいメモリ・デバイスとトランジスタの原子シミュレーションを専門とするシニア・エンジニアでした。IEEE IEDMモデリングおよびシミュレーション委員会のメンバーです。
Blaise博士は、ENSIMAG工学部で応用数学の修士号を取得し、フランスのUniversité Grenoble Alpesで固体物理学の博士号を取得しています。


対象:

量子効果を考慮した革新的なデバイスの原子シミュレーションにおけるソリューションを探しているエンジニア、およびマネージャ