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ウェビナー

TCADベースのGaN HEMTデバイス・モデル抽出フロー - Part2 - 2019年3月27日 3:00am - 4:00am (日本時間)
本ウェビナーは、以前ご紹介したGaN HEMTデバイスのモデル・パラメータ抽出メソドロジの続きを説明します。(言語: 英語)

ナノデバイスにおける原子レベルのシミュレーション - 2019年4月5日 3:00am - 4:00am (日本時間)
本ウェビナーでは、シルバコのTCADツール・スイートへと発展したNEMO5の原子レベルのシミュレーション機能について紹介します。NEMO5は、多目的のナノデバイス・シミュレーション・ツールであり、パデュー大学にてこの10年間に65人以上の開発者が延べ100年以上の工数をかけて開発してきました。NEMO5は、 (言語: 英語)

トランジスタ・レベル・シミュレーションの理解および最適化 - 2019年4月25日 10:00am - 11:00am (日本時間)
本ウェビナーでは、並列およびFastSPICE解析モードを含め、SmartSpiceシミュレータの核心部をさらに詳しく説明します。(言語: 英語)

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