配信開始日: 2014年11月19日
このウェビナーでは、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ(a-Si TFT)において、TCADシミュレーションを測定データと比較する場合に用いるキャリブレーションの手順を詳細に取り上げます。TCADのキャリブレーション手順についてリーク電流に焦点を当て説明するため、a-Si TFTテクノロジの設計と最適化に役立ちます。
具体的には、状態密度(DOS)やバンド間トンネルなど、TFT TCADシミュレーションで使用される一般的なモデルから特定のモデルにわたる物理モデルについて、レビューを行います。
Nam-Kyun Takは、シルバコのシニアTCADアプリケーション・エンジニアです。2010年入社後、TFTテクノロジ開発を担当してきました。シルバコ入社以前は、サムスン電子にて6年間、DRAM開発に携わってきました。
Nam-Kyun Takは、韓国の慶北大学校において、電子工学およびコンピュータ・サイエンスの理学士号と理学修士号を取得しています。