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SiCおよび各種ワイドバンドギャップ材料:プロセス・シミュレーションからデバイス・シミュレーションまで

配信開始日:

本ウェビナーでは、シルバコのTCADツールの概要を説明します。ここでは、シルバコのワイドバンドギャップ材料向けプロセス/デバイス・シミュレーションの機能を紹介します。さらに、SiC JBSダイオードおよびGaN FETなど、さまざまな実例について実演し考察します。

内容:

    • TCADとは何か、なぜそれを使用するのか
    • ワイドバンドギャップ材料のプロセス・モデリングにおけるTCADの使用方法
    • ワイドバンドギャップ・デバイスの電気的性能モデリングにおけるTCADの使用方法

プレゼンタ:

Dr. David Greenは、イギリスのケンブリッジを拠点とするシルバコのSenior Field Applications Engineeringです。シルバコに13年間勤務しており、ヨーロッパ・中東・アフリカのTCAD顧客のプリ・セールス/ポスト・サポート、開発、そしてR&D TCADプロジェクトの管理を担っています。パワー、ディスプレイ、信頼性、光学を含め多岐にわたるアプリケーションのサポートを行っています。

博士課程と博士号取得後の研究には、集積回路向け縦型および横型パワーデバイスの設計、シミュレーション、開発、およびテストが含まれます。

対象:

SiCおよびシリコン・ベースのパワーデバイスの設計、最適化を行うソリューションを求めている研究者、エンジニア、マネージャ