配信開始日: 2015年2月18日
このウェビナーでは、宇宙空間または高エネルギー粒子や光子源付近など、一般的な4つの放射線環境下でエレクトロニクス・デバイスを使用した場合に発生する動作特性の変化について、酸化膜電荷や物理的損傷などを含む具体的なシミュレーション方法を取り上げます。高エネルギー粒子には、放射線関連事象やその他発生源から放射されるX線、ガンマ線、エネルギー電子、陽子、中性子などが含まれます。このような放射線がデバイスに及ぼす影響を、高線量と低線量の両方について、物理ベースのTCADシミュレータを使用してシミュレーションを行います。
シルバコのPrincipal Applications Engineer であるDerek Kimpton博士は、英国リンカーンに所在するPlessey Semiconductorsにて4年間、デバイスに対する放射線効果のキャラクタライズに従事しました。在籍中、ソリッドステート・エレクトロニクス分野において、新しい予測的な総線量酸化膜電荷モデルについて論文を発表し、これがシルバコ最新のTCAD Victory Deviceシミュレータのコードの基本となっています。
17年を超えるシルバコ在籍以前、Kimpton博士はKing’s College Londonにて、GaInAs MOSFET分野の理学士号と博士号を取得するとともに、英国GEC Hirst Research Centerにて1年間、インダストリアルイヤーを経験しています。また、英国Middlesex Universityのリサーチ・フェローとして、ゲルマニウム注入によるシリコンゲルマニウム(SiGe)の合成についての研究も行いました。