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総線量、放射線流による損傷、即発線量およびSEUのTCADシミュレーション

配信開始日: 2015年2月18日
このウェビナーでは、宇宙空間または高エネルギー粒子や光子源付近など、一般的な4つの放射線環境下でエレクトロニクス・デバイスを使用した場合に発生する動作特性の変化について、酸化膜電荷や物理的損傷などを含む具体的なシミュレーション方法を取り上げます。高エネルギー粒子には、放射線関連事象やその他発生源から放射されるX線、ガンマ線、エネルギー電子、陽子、中性子などが含まれます。このような放射線がデバイスに及ぼす影響を、高線量と低線量の両方について、物理ベースのTCADシミュレータを使用してシミュレーションを行います。

概要:

• 最近公開された総線量モデルの紹介
• 酸化膜中のトラップされた正孔の放射線によるデトラップを含む、総線量モデルの物理メカニズムの説明
• 放射線照射時のバイアス条件が、どのように放射線用に強化された酸化膜中のトラップされた正孔の濃度を低減し、その結果、放射線の影響を受けたしきい値電圧を回復するかについて（通常の界面トラップの低速形成による「リバウンド」効果とは異なる）
• 半導体の損傷を引き起こす粒子流のシミュレーション方法
• 過渡的で非常に高い線量率の「即発(prompt)」イベントのシミュレーション方法
• その他、従来の高エネルギーシングル粒子イベント(SEE)のシミュレーション
• 例題として、総線量酸化膜電荷によるしきい値電圧の変化とデバイス間のリーク、陽子流によるイメージセンサの損傷、回路への即発線量照射の影響、パワーPiNダイオードのシングル・イベント・バーンアウト(SEB)、ならびに22nm SRAMのシングル・イベント・アップセット(SEU)